Conductivité thermique d’un film d’alliage semiconducteur à changement de phase.

dc.contributor.author hal.structure.identifier	BATTAGLIA, Jean-Luc 164351 Institut de Mécanique et d'Ingénierie de Bordeaux [I2M]
dc.date.accessioned	2012
dc.date.available	2012
dc.date.issued	2008
dc.identifier.other	http://www.sft.asso.fr/document.php?pagendx=10429&project=sft
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10985/6599
dc.description.abstract	On s’intéresse à la mesure de la conductivité thermique d’un alliage semiconducteur Ge2Sb2Te5. Ce matériau présente 2 changements de phase structurale (amorphe – cristallin cubique et cubique – hexagonale) à des températures particulières. La conductivité électrique de ce matériau varie sur plusieurs décades entre l’état amorphe et l’état cristallin. La méthode employée pour la mesure de conductivité thermique est la radiométrie photothermique.
dc.language.iso	fr
dc.publisher	Société Française de Thermique / Congrès Français de Thermique - Thermique aéronautique et spatiale, 3 - 6 juin 2008, Toulouse
dc.rights	Post-print
dc.title	Conductivité thermique d’un film d’alliage semiconducteur à changement de phase.
dc.typdoc	Communication avec acte
dc.localisation	Centre de Bordeaux-Talence
dc.subject.hal	Sciences de l'ingénieur: Matériaux
dc.subject.hal	Sciences de l'ingénieur: Mécanique
dc.subject.hal	Sciences de l'ingénieur: Mécanique Thermique
hal.status	unsent

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