Caracterisations mecaniques par procede de nanoindentation de couches de silicium poreux nanostructurees
dc.contributor.author
hal.structure.identifier | FAKIRI, Souheyla
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dc.contributor.author | IOST, Alain |
dc.contributor.author
hal.structure.identifier | RAHMOUN, Khadidja
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dc.contributor.author
hal.structure.identifier | ZIOUCHE, Katir
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dc.contributor.author
hal.structure.identifier | MONTAGNE, Alex
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dc.date.accessioned | 2017 |
dc.date.available | 2017 |
dc.date.issued | 2016 |
dc.date.submitted | 2017 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10985/11603 |
dc.description.abstract | Dans la technologie des semi-conducteurs, le silicium poreux (SiP) trouve un grand intérêt notamment pour ses propriétés thermiques ou même diélectriques qui jouent un rôle important notamment pour la fabrication de microsystèmes ou de micro-capteurs [1]. Le silicium méso poreux, qui nous intéresse, est obtenu par gravure électrochimique de silicium fortement dopé P++. La forme microstructurée obtenue a une porosité qui influe fortement sur les propriétés mécaniques de la couche SiP. Pour garantir de bonnes tenues mécaniques, une solution consiste à oxyder la couche de SiP. |
dc.language.iso | fr |
dc.rights | Pre-print |
dc.subject | Silicium poreux |
dc.subject | Porosité |
dc.subject | Nanoindentation |
dc.subject | Dureté |
dc.subject | Module de Young |
dc.title | Caracterisations mecaniques par procede de nanoindentation de couches de silicium poreux nanostructurees |
dc.typdoc | Communication sans acte |
dc.localisation | Centre de Lille |
dc.subject.hal | Physique: matière Condensée: Science des matériaux |
ensam.audience | Non spécifiée |
ensam.conference.title | INDENTATION |
ensam.conference.date | 2016-10-12 |
ensam.country | France |
ensam.city | Lille |
ensam.peerReviewing | Non |
ensam.invitedCommunication | Non |
ensam.proceeding | Non |
hal.identifier | hal-01485136 |
hal.version | 1 |
hal.status | accept |