Caractérisation thermique des matériaux pour mémoires à changement de phase à haute température et échelle submicrométrique.

Abstract

Les PCM (Phase Change Memory) développés par l’industrie microélectronique utilisent des verres chalcogénures des systèmes Ge-Sb-Te pour assurer le stockage de données informatiques par changement de structures cristallines. Le principe de stockage de l'information repose sur la différence de résistivité électrique entre l’état amorphe et l’état cristallin de ces verres, le passage entre ces différents états s’effectuant par chauffage (effet Joule). Il est fondamental, afin de maîtriser ces phénomènes de changement de phase pour le stockage des données, de connaître les propriétés thermiques de ces matériaux. On mesure ainsi la conductivité thermique de couche mince de faible épaisseur (100 nm – 800 nm) sur une plage de température de 25°C à 400°C. La résistance d’interface entre le GST et le diélectrique utilisé dans les PCM (ici du SiO2) est aussi estimée.