Mesures des propriétés thermiques d’un dépôt submicrométrique d’Al2O3 amorphe déposé par ALD

Abstract

L’oxyde d’aluminium Al2O3 amorphe, est un bon isolant thermique et électrique. L’industrie microélectronique s’intéresse à ce matériau pour développer de nouveaux diélectriques de haute pureté aux échelles submicrométriques. Elle cherche ainsi à déterminer précisément ses propriétés thermiques sur une large plage de température. Des mesures de conductivité sont donc réalisées ici sur des échantillons d’Al2O3 déposé par ALD de 150 à 400 nm d’épaisseur. Ces essais sont réalisés entre 20 et 600°C et sont complétés par des caractérisations physico-chimiques afin de vérifier l’évolution de la structure du matériau au cour de l’expérience.