Caracterisations mecaniques par procede de nanoindentation de couches de silicium poreux nanostructurees

Abstract

Dans la technologie des semi-conducteurs, le silicium poreux (SiP) trouve un grand intérêt notamment pour ses propriétés thermiques ou même diélectriques qui jouent un rôle important notamment pour la fabrication de microsystèmes ou de micro-capteurs [1]. Le silicium méso poreux, qui nous intéresse, est obtenu par gravure électrochimique de silicium fortement dopé P++. La forme microstructurée obtenue a une porosité qui influe fortement sur les propriétés mécaniques de la couche SiP. Pour garantir de bonnes tenues mécaniques, une solution consiste à oxyder la couche de SiP.