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Conductivité thermique d’un film d’alliage semiconducteur à changement de phase.

Communication avec acte
Author
BATTAGLIA, Jean-Luc
164351 Institut de Mécanique et d'Ingénierie de Bordeaux [I2M]

URI
http://hdl.handle.net/10985/6599
Date
2008

Abstract

On s’intéresse à la mesure de la conductivité thermique d’un alliage semiconducteur Ge2Sb2Te5. Ce matériau présente 2 changements de phase structurale (amorphe – cristallin cubique et cubique – hexagonale) à des températures particulières. La conductivité électrique de ce matériau varie sur plusieurs décades entre l’état amorphe et l’état cristallin. La méthode employée pour la mesure de conductivité thermique est la radiométrie photothermique.

Files in this item

Name:
I2M_2008_BATTAGLIA.pdf
Size:
283.3Kb
Format:
PDF
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